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Hall8800霍尔效应分析仪I
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产品型号:Hall8800
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Hall Effect Measurement System HALL8800

Hall8800霍尔效应分析仪 I

Item

Description

1

概述

HALL8800型霍尔效应测量系统主要为结合霍尔效应及van der pauw方法四点

测量分析薄膜材料的电阻率,载子浓度(N Type & P TYPE)及迁移率等相关参数信息,

温度范围在室温(300K)77K环境下测试;另外HALL8686型及HALL8888型可提供变温环境测试,温度范围分别为:77K-423K/77K-623K。薄膜材料包括SiGesige,

sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料,HALL系列霍尔

效应测试仪可应用于科学研究,教育以及产品测试等研发应用。

1

应用范围:

研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数

2

        :

2-1

sample size:10mmx10mm----15mmx15mm

样品尺寸:10mmx10mm---15mmx15mm(可定制其它各类尺寸)
Sample thickness~3mm

厚度:~3mm

2-2

Measurement Temperature: room temperature 77K(option)

测试温度: 室温~300K (可以选配77K低温组件)

2-3

Measurement Material: Semiconductors material such as

   Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如:

     Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N)

2-4

Magnet Flux Density: 0.48 Tesla0.68Tesla

磁场强度: 0.48 Tesla0.68Tesla(视磁铁间距不同而有所差异)

2-5

Magbnet Stability: ±2% over 1 years

稳定性: ±2% (超过一年)

2-6

Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center

均匀度:± 1%(从中心点至20mm直径圆范围内)

2-7

Pole Gap:20 mm

磁极间隙:20毫米

2-8

Output current:: 1nA~100mA

输出电流:1nA~100mA

2-9

Input voltage range: 1μV  to 300V

输入电压范围:1μV ~300V

2-10

Hall voltage range: 10uV to 2000mV

霍尔电压范围: 10uV to 2000mV

2-11

Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107

电阻率 (Ω.): 10-5 to 107

2-12

Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

2-13

Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021

载流子浓度(1/cm-3): 107 ~ 1021

2-14

Dimensions(L/W/H): 390mm*360mm*120mm

尺寸:390mm*360mm*120mm

2-15

Weight:6.2kg

重量:6.2kg