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Hall8686型变温霍尔效应分析仪II
点击资料:16
产品型号:Hall8686
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Hall8686 Temperatured Hall Effect Measurement System

Hall8686/8888变温霍尔效应分析仪

Item

Description

1

概述

HALL8686/8888型变温霍尔效应测量系统结合霍尔效应及van der pauw

方法四点测量分析薄膜材料的电阻率,载子浓度(N Type & P TYPE)及迁移率等相关参数信息,温度范围分别为:77K-423K77K-623K。可进行变温操控,人性化的软件

设计及模块化组件,性能卓越,操作方便;薄膜材料包括SiGesige,sic,gaas,

ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料,HALL系列霍尔效应测试仪

可应用于科学研究,教育以及产品测试等研发应用。

2

应用范围:

研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数

3

        :

3-1

sample size:5mm x5mm----15mmx15mm

样品尺寸: 5mm x5mm---15mmx15mm(可定制其它各类尺寸)

Sample thickness~3mm

厚度:~3mm

3-2

Measurement Temperature: 77K~423K(HALL8686)            

77K~623K(HALL8888)

测试温度: 77K~423K(HALL8686)            

77K~623K(HALL8888)

3-3

Measurement Material: Semiconductors material such as

   Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如:

     Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N)

3-4

Magnet Flux Density: 0.55 Tesla

磁场强度: 0.55 Tesla (视磁铁间距不同而有所差异)

3-5

Magbnet Stability: ±2% over 1 years

稳定性: ±2% (超过一年)

3-6

Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center

均匀度:± 1%(从中心点至30mm直径圆范围内)

3-7

Pole Gap:20 mm

磁极间隙:20毫米

3-8

Input current:: 1nA~20mA

输入电流:1nA~20mA

3-9

Input voltage range: 1μV  to 10V

输入电压范围:1μV ~10V

3-10

Hall voltage range: 10uV to 2000mV

霍尔电压范围: 10uV to 2000mV

3-11

Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107

电阻率 (Ω.): 10-5 to 107

3-12

Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

3-13

Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021

载流子浓度(1/cm-3): 107 ~ 1021

3-14

Dimensions(L/W/H):

Main FrameW400*H360*D200mm   ~10kg

        
Magnetic Kit
W140*H110mm*D114mm  ~5kg

尺寸:

主机 W400*H360*D200mm   ~10kg

        
磁装置 W140*H110mm*D114mm  ~5kg